Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > DMT3006LFDF-13
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6731047DMT3006LFDF-13 ΕικόναDiodes Incorporated

DMT3006LFDF-13

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
10000+
$0.171
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMT3006LFDF-13
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMT3006LFDF-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Σειρά
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 9A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    800mW (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    6-UDFN Exposed Pad
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    16 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1320pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    22.6nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    3.7V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 14.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    14.1A (Ta)

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

2024/11/25

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMT3006LFDF-13.
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT2P68K-F

DMT2P68K-F

Περιγραφή: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3003LFG-7

DMT3003LFG-7

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT2S47K-F

DMT2S47K-F

Περιγραφή: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3004LFG-7

DMT3004LFG-7

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT2S1K-F

DMT2S1K-F

Περιγραφή: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT3006LDK-7

DMT3006LDK-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.