SIB413DK-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SIB413DK-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SIB413DK-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

PowerPAK® SC-75-6L Single
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Συσκευασία

Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση

PowerPAK® SC-75-6L
Αλλα ονόματα

SIB413DK-T1-GE3DKR
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

357pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

7.63nC @ 5V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

20V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SIB413DK-T1-GE3.

SIB412DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB408DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB406EDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB419DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB411DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB433EDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB410DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB414DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB412DK-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB417AEDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB417EDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB-130-02-F-S

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

RFQ

SIB422EDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB-130-02-F-S-LC

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

RFQ

SIB417DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB441EDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB411DK-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB404DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB415DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIB437EDKT-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SIB413DK-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

SIB412DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-E3

SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

SIB-130-02-F-S

SIB422EDK-T1-GE3

SIB-130-02-F-S-LC

SIB417DK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

SIB411DK-T1-E3

SIB404DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα