Σύμφωνα με αναφορές, η Samsung έχει μειώσει τη χρήση του παχύρρευστου φωτοανθεκτικού (PR) στην τελευταία της 3D διαδικασία λιθογραφίας NAND, με αποτέλεσμα σημαντική εξοικονόμηση κόστους.Ωστόσο, αυτή η κίνηση μπορεί να επηρεάσει τον κορεατικό προμηθευτή Dongjin Semiconductor.
Η Samsung έχει μειώσει τη χρήση PR για παραγωγή 3D NAND κατά το ήμισυ, μειώνοντας την κατανάλωση από 7-8 cc ανά επικάλυψη σε 4-4,5 cc.Οι αναλυτές της βιομηχανίας προβλέπουν ότι τα έσοδα του Dongjin Semiconductor μπορεί να μειωθούν, υπογραμμίζοντας τον ευρύτερο αντίκτυπο των μέτρων μείωσης του κόστους στη δυναμική της αλυσίδας εφοδιασμού.
Αναφέρεται ότι η Samsung δεσμεύεται να βελτιώσει την αποτελεσματικότητα της διαδικασίας NAND και να μειώσει το κόστος και έχει μειώσει με επιτυχία τη χρήση του φωτοανθεκτικού μέσω δύο βασικών καινοτομιών.Πρώτον, η Samsung βελτιστοποίησε τις περιστροφές ανά λεπτό (RPM) και την ταχύτητα της μηχανής επικάλυψης κατά τη διάρκεια της διαδικασίας εφαρμογής, μειώνοντας τη χρήση PR διατηρώντας παράλληλα τις βέλτιστες συνθήκες χάραξης και σημαντικά εξοικονόμηση του κόστους διατηρώντας παράλληλα την ποιότητα επίστρωσης.Δεύτερον, η διαδικασία χάραξης μετά την εφαρμογή PR έχει βελτιωθεί και παρόλο που η χρήση του υλικού έχει μειωθεί, μπορούν να ληφθούν ισοδύναμα ή καλύτερα αποτελέσματα.
Η αύξηση των στρώσεων στοίβαξης σε 3D NAND έχει ωθήσει το κόστος παραγωγής.Προκειμένου να βελτιωθεί η αποτελεσματικότητα, η Samsung έχει υιοθετήσει το KRF PR στην 7η και 8η γενιά NAND, επιτρέποντας τον σχηματισμό πολλαπλών στρωμάτων σε μία μόνο εφαρμογή.Παρόλο που το KRF PR είναι ιδιαίτερα κατάλληλο για διαδικασίες στοίβαξης, το υψηλό ιξώδες του δημιουργεί προκλήσεις για την επικάλυψη της ομοιομορφίας και αυξάνει την πολυπλοκότητα της παραγωγής.Η παραγωγή PR περιλαμβάνει πολύπλοκες διαδικασίες, πρότυπα υψηλής καθαρότητας, εκτεταμένη έρευνα και ανάπτυξη και κύκλους μακράς επικύρωσης, καθορίζοντας τεράστια τεχνικά εμπόδια για τους νεοεισερχόμενους στην αγορά.
