Στις 29 Αυγούστου 2024, η SK Hynix ανακοίνωσε την πρώτη επιτυχή ανάπτυξη του DDR5 DRAM στον κόσμο χρησιμοποιώντας τη διαδικασία νανομέτρου της έκτης γενιάς 10.Ως αποτέλεσμα, η εταιρεία έχει αποδείξει στον κόσμο την εξαιρετικά λεπτή τεχνολογία αποθήκευσης με διάμετρο μόλις πάνω από 10 νανόμετρα.
Η SK Hynix τόνισε: "Με τη γενιά με τη μετάδοση της παραγωγής 10 νανομέτρων DRAM τεχνολογίας, η δυσκολία της μικροδιαφθόρου έχει επίσης αυξηθεί. Ωστόσο, η εταιρεία έχει βελτιώσει την ολοκλήρωση του σχεδιασμού με βάση την τεχνολογία της πέμπτης γενιάς (1b) που αναγνωρίζεται για την υψηλότερη απόδοση της στοτη βιομηχανία και έχει αναλάβει το προβάδισμα των τεχνολογικών ορίων.
Η εταιρεία ανέπτυξε τη διαδικασία 1C επεκτείνοντας την πλατφόρμα 1B DRAM.Η ομάδα τεχνολογίας SK Hynix πιστεύει ότι αυτό μπορεί όχι μόνο να μειώσει τη δυνατότητα δοκιμής και σφάλματος κατά τη διάρκεια της διαδικασίας αναβάθμισης της διαδικασίας, αλλά και να μεταφέρει αποτελεσματικά το πλεονέκτημα της διαδικασίας SK Hynix 1B, το οποίο αναγνωρίζεται για την υψηλότερη απόδοση DRAM στη βιομηχανία,Διαδικασία 1C.
Επιπλέον, η SK Hynix έχει αναπτύξει και εφαρμόσει νέα υλικά σε ορισμένες διαδικασίες EUV και βελτιστοποίησε τις εφαρμοστέες διαδικασίες EUV καθ 'όλη τη διάρκεια της διαδικασίας, εξασφαλίζοντας έτσι την ανταγωνιστικότητα του κόστους.Ταυτόχρονα, η καινοτομία της τεχνολογίας σχεδιασμού έχει επίσης πραγματοποιηθεί στη διαδικασία 1C και σε σύγκριση με τη διαδικασία της προηγούμενης γενιάς 1b, η παραγωγικότητά της αυξήθηκε κατά περισσότερο από 30%.
Αυτό το 1C DDR5 DRAM θα χρησιμοποιηθεί κυρίως σε κέντρα δεδομένων υψηλής απόδοσης, με ταχύτητα λειτουργίας 8GBPs (8 gigabits ανά δευτερόλεπτο), αύξηση 11% στην ταχύτητα σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά.Επιπλέον, η ενεργειακή απόδοση έχει επίσης αυξηθεί κατά περισσότερο από 9%.Με την έλευση της εποχής AI, η κατανάλωση ενέργειας των κέντρων δεδομένων συνεχίζει να αυξάνεται.Εάν οι παγκόσμιοι πελάτες που λειτουργούν υπηρεσίες cloud υιοθετήσουν το SK Hynix 1C DRAM στα κέντρα δεδομένων τους, η εταιρεία προβλέπει ότι οι λογαριασμοί ηλεκτρικής ενέργειας τους μπορούν να μειωθούν έως και 30%.
Ο αντιπρόεδρος της ανάπτυξης της SK Hynix DRAM, Kim Jong Hwan, δήλωσε: "Η τεχνολογία διεργασίας 1C συνδυάζει την υψηλότερη απόδοση και την ανταγωνιστικότητα του κόστους και η εταιρεία την εφαρμόζει στην τελευταία γενιά των HBM *, LPDDR6 *, GDDR7 *και άλλων προηγμένων ομάδων προϊόντων DRAM.Παρέχοντας έτσι διαφοροποιημένη αξία στους πελάτες.
*HBM (μνήμη υψηλού εύρους ζώνης): Ένα προϊόν υψηλής προστιθέμενης προστιθέμενης αξίας, υψηλής απόδοσης που συνδέει κάθετα πολλαπλές DRAM και βελτιώνει σημαντικά την ταχύτητα επεξεργασίας δεδομένων σε σύγκριση με το DRAM.Τα προϊόντα HBM DRAM αναπτύσσονται με τη σειρά της HBM (Πρώτη γενιά) - HBM2 (δεύτερη γενιά) - HBM2E (τρίτη γενιά) - HBM3 (τέταρτη γενιά) - HBM3E (πέμπτη γενιά) - HBM4 (έκτη γενιά) - HBM4E (Ένδυση).
*LPDDR (ρυθμός διπλής δεδομένων χαμηλής ισχύος): Είναι μια προδιαγραφή DRAM που χρησιμοποιείται σε προϊόντα κινητής τηλεφωνίας όπως smartphones και tablet, με στόχο την ελαχιστοποίηση της κατανάλωσης ενέργειας και τη λειτουργία χαμηλής τάσης.Το όνομα προδιαγραφής είναι LP (χαμηλή ισχύς) και η τελευταία προδιαγραφή είναι η έβδομη γενιά LPDDR (5x), που αναπτύχθηκε με τη σειρά 1-2-3-4-4x-5x-6.
*GDDR (Γραφικά DDR, Διπλή μνήμη ρυθμού μεταφοράς δεδομένων για γραφικά): Μια τυπική προδιαγραφή DRAM για γραφικά που καθορίζονται από τον Διεθνή Οργανισμό Συσκευών Συσκευών (JEDEC).Μια προδιαγραφή ειδικά σχεδιασμένη για επεξεργασία γραφικών, αυτή η σειρά προϊόντων αναπτύσσεται με τη σειρά των 3, 5, 5x, 6 και 7. Όσο νεότερη είναι η σειρά, τόσο ταχύτερη τρέχει και όσο υψηλότερη είναι η ενεργειακή απόδοση.Αυτό το προϊόν έχει προσελκύσει την προσοχή ως μνήμη υψηλής απόδοσης που χρησιμοποιείται ευρέως στους τομείς των γραφικών και της τεχνητής νοημοσύνης.
