FDB024N08BL7

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

$4.03

10+

$3.601

100+

$2.953

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

FDB024N08BL7
Κατασκευαστής / Μάρκα

AMI Semiconductor/onsemi
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

FDB024N08BL7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

D²PAK (TO-263)
Σειρά

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

246W (Tc)
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Αλλα ονόματα

FDB024N08BL7CT
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

40 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

13530pF @ 40V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

178nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

80V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDB024N08BL7.

FDB024N06

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB035AN06A0-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB-GP

Περιγραφή: CONN GUIDE PLATE

Κατασκευαστές: Hirose

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0165N807L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB-P

Περιγραφή: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Κατασκευαστές: Hirose

Σε απόθεμα

RFQ

FDB035N10A

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB024N04AL7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB035AN06A0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB045AN08A0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0260N1007L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB031N08

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0190N807L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB016N04AL7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB-S

Περιγραφή: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Κατασκευαστές: Hirose

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0105N407L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 460A

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0170N607L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0300N1007L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB039N06

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB0250N807L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

FDB029N06

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

FDB024N08BL7

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

FDB024N06

FDB035AN06A0-F085

FDB-GP

FDB0165N807L

FDB-P

FDB035N10A

FDB024N04AL7

FDB035AN06A0

FDB045AN08A0

FDB0260N1007L

FDB031N08

FDB0190N807L

FDB016N04AL7

FDB-S

FDB0105N407L

FDB0170N607L

FDB0300N1007L

FDB039N06

FDB0250N807L

FDB029N06

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα