SI2335DS-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI2335DS-T1-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI2335DS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

51 mOhm @ 4A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

750mW (Ta)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Αλλα ονόματα

SI2335DS-T1-E3-ND
SI2335DS-T1-E3TR
SI2335DST1E3
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

15nC @ 4.5V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

12V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 12V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI2335DS-T1-E3.

SI2342DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Κατασκευαστές: Vishay Siliconix

Σε απόθεμα

RFQ

SI2334DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2335DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2336DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2338DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2341DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2333CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2333DDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2331DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2337DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2331DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2333DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2343DS-T1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2341DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2333CDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2333-TP

Περιγραφή: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2343CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2333DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2337DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2329DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI2335DS-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

SI2342DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

SI2343DS-T1

SI2341DS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

SI2333-TP

SI2343CDS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-E3

SI2329DS-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα