Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP1M003A080FH
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
737239GP1M003A080FH ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP1M003A080FH

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP1M003A080FH
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP1M003A080FH.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220F
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    32W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3 Full Pack
  • Αλλα ονόματα
    1560-1156-1
    1560-1156-1-ND
    1560-1156-5
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    696pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    800V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 800V 3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

2024/11/25

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP1M003A080FH.
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1L57

GP1L57

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Περιγραφή: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M004A090H

GP1M004A090H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.