Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB021N06N3GATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1083949IPB021N06N3GATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB021N06N3GATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB021N06N3GATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 196µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    D²PAK (TO-263AB)
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 100A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    250W (Tc)
  • Συσκευασία
    Original-Reel®
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Αλλα ονόματα
    IPB021N06N3 GDKR
    IPB021N06N3 GDKR-ND
    IPB021N06N3GATMA1DKR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    23000pF @ 30V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    275nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    60V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο