Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB065N15N3GE8187ATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3632945IPB065N15N3GE8187ATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB065N15N3GE8187ATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO263-7
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    300W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Αλλα ονόματα
    IPB065N15N3 G E8187
    IPB065N15N3 G E8187-ND
    IPB065N15N3 G E8187TR-ND
    IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
    SP000939336
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    7300pF @ 75V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    150V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB065N06L G

IPB065N06L G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB05N03LA

IPB05N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο