Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB108N15N3GATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4912724IPB108N15N3GATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB108N15N3GATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$5.23
10+
$4.669
100+
$3.829
500+
$3.10
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB108N15N3GATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    D²PAK (TO-263AB)
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.8 mOhm @ 83A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    214W (Tc)
  • Συσκευασία
    Original-Reel®
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Αλλα ονόματα
    IPB108N15N3 GDKR
    IPB108N15N3 GDKR-ND
    IPB108N15N3GATMA1DKR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    3230pF @ 75V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    150V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    83A (Tc)
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Κατασκευαστές: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο