Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB180N04S4H0ATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4458462IPB180N04S4H0ATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N04S4H0ATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1000+
$1.607
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB180N04S4H0ATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 180µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO263-7-3
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1 mOhm @ 100A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    250W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Αλλα ονόματα
    IPB180N04S4-H0
    IPB180N04S4-H0-ND
    IPB180N04S4H0ATMA1TR
    SP000711248
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    17940pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    225nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    40V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 40V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο