Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB22N03S4L15ATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
949967IPB22N03S4L15ATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB22N03S4L15ATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1000+
$0.995
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB22N03S4L15ATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 10µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO263-3-2
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 22A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    31W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Αλλα ονόματα
    IPB22N03S4L-15
    IPB22N03S4L-15-ND
    IPB22N03S4L-15INTR
    IPB22N03S4L-15INTR-ND
    IPB22N03S4L15ATMA1TR
    SP000275308
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 22A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο