Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB60R125C6ATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5287331IPB60R125C6ATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R125C6ATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1000+
$2.959
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB60R125C6ATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 600V 30A TO263
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 960µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    D²PAK (TO-263AB)
  • Σειρά
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    219W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Αλλα ονόματα
    IPB60R125C6
    IPB60R125C6-ND
    IPB60R125C6ATMA1TR
    IPB60R125C6TR-ND
    SP000687456
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    2127pF @ 100V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    600V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R190C6ATMA1

IPB60R190C6ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο