Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPD082N10N3GBTMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4019165IPD082N10N3GBTMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD082N10N3GBTMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPD082N10N3GBTMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    IPD082N10N3GBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 75µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO252-3
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 73A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    125W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Αλλα ονόματα
    IPD082N10N3 G
    IPD082N10N3 G-ND
    IPD082N10N3GBTMA1TR
    SP000485986
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    3980pF @ 50V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    100V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IPD082N10N3GBTMA1.
IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 73A

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD1-02-D-GP

IPD1-02-D-GP

Περιγραφή: MINI-POWER CONNECTOR

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 90A

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD1-02-D

IPD1-02-D

Περιγραφή: POWER HOUSING MINI MATE

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.