Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPD80N06S3-09
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
501528IPD80N06S3-09 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80N06S3-09

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPD80N06S3-09
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    IPD80N06S3-09.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 55µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO252-3
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.4 mOhm @ 40A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    107W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Αλλα ονόματα
    SP000264473
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    6100pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    55V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 55V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IPD80N06S3-09.
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD70R900P7SAUMA1

IPD70R900P7SAUMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD75N04S406ATMA1

IPD75N04S406ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD70R600CEAUMA1

IPD70R600CEAUMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.