Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT10M11B2VFRG
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
830184APT10M11B2VFRG ΕικόναMicrosemi

APT10M11B2VFRG

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    APT10M11B2VFRG
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Microsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    APT10M11B2VFRG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    T-MAX™
  • Σειρά
    POWER MOS V®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 500mA, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    520W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-247-3 Variant
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    450nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    100V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

2024/11/25

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το APT10M11B2VFRG.
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Περιγραφή: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Περιγραφή: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Περιγραφή: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Περιγραφή: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Περιγραφή: IGBT 600V 183A 780W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Περιγραφή: IGBT 600V 183A 780W TO264

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.