Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > NP23N06YDG-E1-AY
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5274755

NP23N06YDG-E1-AY

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    NP23N06YDG-E1-AY
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Renesas Electronics Corporation
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    NP23N06YDG-E1-AY.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-HSON
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1W (Ta), 60W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • Αλλα ονόματα
    NP23N06YDG-E1-AY-ND
    NP23N06YDG-E1-AYTR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    60V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 60V 23A (Tc) 1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-HSON
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

2024/10/28

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

2024/10/7
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το NP23N06YDG-E1-AY.
NP2600SBT3G

NP2600SBT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 80A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2300SCT3G

NP2300SCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 190V 100A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SAMCT3G

NP2600SAMCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 150A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2300SCMCT3G

NP2300SCMCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 190V 400A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SB1T3G

NP2600SB1T3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 80A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SCMCT3G

NP2600SCMCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 400A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SC1T3G

NP2600SC1T3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 100A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2300SAMCT3G

NP2300SAMCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 190V 150A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2300SBT3G

NP2300SBT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 190V 80A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SAT3G

NP2600SAT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 50A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP22N055SHE-E1-AY

NP22N055SHE-E1-AY

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

Κατασκευαστές: Renesas Electronics America
Σε απόθεμα
RFQ
NP2300SAT3G

NP2300SAT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 190V 50A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP22N055SLE-E2-AY

NP22N055SLE-E2-AY

Περιγραφή: TRANSISTOR

Κατασκευαστές: Renesas Electronics America
Σε απόθεμα
RFQ
NP22N055SLE-E1-AZ

NP22N055SLE-E1-AZ

Περιγραφή: TRANSISTOR

Κατασκευαστές: Renesas Electronics America
Σε απόθεμα
RFQ
NP22N055SLE(1)-E1-AY

NP22N055SLE(1)-E1-AY

Περιγραφή: TRANSISTOR

Κατασκευαστές: Renesas Electronics America
Σε απόθεμα
RFQ
NP28N10SDE-E1-AY

NP28N10SDE-E1-AY

Περιγραφή: TRANSISTOR

Κατασκευαστές: Renesas Electronics America
Σε απόθεμα
RFQ
NP2300SBMCT3G

NP2300SBMCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 190V 250A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP22N055SLE-E1-AY

NP22N055SLE-E1-AY

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

Κατασκευαστές: Renesas Electronics America
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SBMCT3G

NP2600SBMCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 250A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
NP2600SCT3G

NP2600SCT3G

Περιγραφή: THYRISTOR 220V 100A SMB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.