Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > HS3DB R5G
Αίτημα παράθεσης
Ελλάδα
1079183HS3DB R5G ΕικόναTSC (Taiwan Semiconductor)

HS3DB R5G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
850+
$0.148
1700+
$0.133
2550+
$0.122
5950+
$0.114
21250+
$0.107
42500+
$0.098
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    HS3DB R5G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1V @ 3A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    200V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    DO-214AA (SMB)
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    -
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    50ns
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-214AA, SMB
  • Αλλα ονόματα
    HS3DB R5GTR
    HS3DB R5GTR-ND
    HS3DBR5GTR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 150°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    10µA @ 200V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    3A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    80pF @ 4V, 1MHz
HS3B R7G

HS3B R7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3F V7G

HS3F V7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3FB R5G

HS3FB R5G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3D V7G

HS3D V7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3G M6G

HS3G M6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3G R7G

HS3G R7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3D V6G

HS3D V6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3J M6G

HS3J M6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3F R7G

HS3F R7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3D R7G

HS3D R7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3G V6G

HS3G V6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3BB R5G

HS3BB R5G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3B M6G

HS3B M6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3F V6G

HS3F V6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3D M6G

HS3D M6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3B V6G

HS3B V6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3AB R5G

HS3AB R5G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3F M6G

HS3F M6G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3GB R5G

HS3GB R5G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
HS3B V7G

HS3B V7G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα

Review (1)

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο