Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N4006GP
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
11484591N4006GP ΕικόναAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4006GP

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    1N4006GP
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1N4006GP.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.1V @ 1A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    800V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    DO-41
  • Ταχύτητα
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Σειρά
    -
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 175°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    5µA @ 800V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    1A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Αριθμός μέρους βάσης
    1N4006

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το 1N4006GP.
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006RL

1N4006RL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GPHE3/54

1N4006GPHE3/54

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006L-T

1N4006L-T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GPE-M3/73

1N4006GPE-M3/73

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GPHE3/73

1N4006GPHE3/73

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE DO41

Κατασκευαστές: Central Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: Vishay Semiconductor Diodes Division
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006G-T

1N4006G-T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.