Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FCD360N65S3R0
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1512213FCD360N65S3R0 ΕικόναAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCD360N65S3R0

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$0.80
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    FCD360N65S3R0
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    SUPERFET3 650V DPAK
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    FCD360N65S3R0.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    D-PAK (TO-252)
  • Σειρά
    SuperFET® III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    83W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Αλλα ονόματα
    FCD360N65S3R0-ND
    FCD360N65S3R0OSTR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση
    Lead free
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    730pF @ 400V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    650V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FCD360N65S3R0.
FCD2250N80Z

FCD2250N80Z

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD4N60TM_WS

FCD4N60TM_WS

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD5N60TF

FCD5N60TF

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD1300N80Z

FCD1300N80Z

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 4A TO252

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD5N60TM

FCD5N60TM

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD121250TP

FCD121250TP

Περιγραφή: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206

Κατασκευαστές: Hamlin / Littelfuse
Σε απόθεμα
RFQ
FCD380N60E

FCD380N60E

Περιγραφή: MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD5N60-F085

FCD5N60-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD121200TP

FCD121200TP

Περιγραφή: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206

Κατασκευαστές: Hamlin / Littelfuse
Σε απόθεμα
RFQ
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK

Κατασκευαστές: Fairchild/ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD121400TP

FCD121400TP

Περιγραφή: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206

Κατασκευαστές: Hamlin / Littelfuse
Σε απόθεμα
RFQ
FCD121315TP

FCD121315TP

Περιγραφή: FUSE BOARD MNT 3.15A 32VDC 1206

Κατασκευαστές: Hamlin / Littelfuse
Σε απόθεμα
RFQ
FCD600N60Z

FCD600N60Z

Περιγραφή: MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD260N65S3

FCD260N65S3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 260MOHM TO252

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD4N60TM

FCD4N60TM

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD4N60TF

FCD4N60TF

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD121500TP

FCD121500TP

Περιγραφή: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206

Κατασκευαστές: Hamlin / Littelfuse
Σε απόθεμα
RFQ
FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0

Περιγραφή: SUPERFET3 650V DPAK PKG

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCD5N60TM-WS

FCD5N60TM-WS

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.