Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FCP104N60
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
2295252

FCP104N60

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$6.73
10+
$6.009
100+
$4.927
800+
$3.605
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    FCP104N60
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    FCP104N60.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220-3
  • Σειρά
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    104 mOhm @ 18.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    357W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    4165pF @ 380V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    600V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 600V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FCP104N60.
FCP0805H681J

FCP0805H681J

Περιγραφή: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP104N60F

FCP104N60F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V TO-220

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

Περιγραφή: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

Περιγραφή: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H681G-J1

FCP0805H681G-J1

Περιγραφή: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

Περιγραφή: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

Περιγραφή: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H821G

FCP0805H821G

Περιγραφή: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

Περιγραφή: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H681J-J1

FCP0805H681J-J1

Περιγραφή: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H681G

FCP0805H681G

Περιγραφή: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

Περιγραφή: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

Περιγραφή: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Κατασκευαστές: Cornell Dubilier Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V TO220

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.