Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FDB14AN06LA0-F085

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

789034

FDB14AN06LA0-F085 Εικόνα

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB14AN06LA0-F085

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

1+

$2.18

10+

$1.968

100+

$1.582

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

FDB14AN06LA0-F085
Κατασκευαστής / Μάρκα

AMI Semiconductor/onsemi
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

FDB14AN06LA0-F085.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

TO-263AB
Σειρά

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 67A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

125W (Tc)
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα

FDB14AN06LA0-F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

33 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

31nC @ 5V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

60V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 60V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDB14AN06LA0-F085.

FDB14N30TM

Περιγραφή: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB150N10

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB16AN08A0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB20N50F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB2532

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB088N08

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Περιγραφή: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB088N08_F141

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB24AN06LA0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB120N10

Περιγραφή: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB13AN06A0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB20AN06A0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB2532-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB110N15A

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB12N50TM

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB14AN06LA0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB10AN06A0

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB12N50UTM_WS

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB12N50FTM-WS

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB15N50

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.