Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FDB8860

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

3586172

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8860

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

800+

$1.713

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

FDB8860
Κατασκευαστής / Μάρκα

AMI Semiconductor/onsemi
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

FDB8860.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

TO-263AB
Σειρά

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 80A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

254W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα

FDB8860TR
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

7 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

12585pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

214nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

30V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 30V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDB8860.

FDB86135

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8832

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8896-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86566-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8880

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8870

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8896

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8870-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86363-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86366-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86360-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86569-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8832-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8876

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8878

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8874

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB8860-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB86563-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

FDB9403-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.