Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FDG361N
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
7013610

FDG361N

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    FDG361N
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    FDG361N.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SC-70-6
  • Σειρά
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 mOhm @ 600mA, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    420mW (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    153pF @ 50V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    100V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 100V 600mA (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    600mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDG361N.
FDG327NZ

FDG327NZ

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6303N_D87Z

FDG6303N_D87Z

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG314P

FDG314P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG410NZ

FDG410NZ

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG316P

FDG316P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6303N

FDG6303N

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG328P

FDG328P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6302P

FDG6302P

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG315N

FDG315N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6303N_G

FDG6303N_G

Περιγραφή: INTEGRATED CIRCUIT

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG330P

FDG330P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG327N

FDG327N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6301N_D87Z

FDG6301N_D87Z

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG326P

FDG326P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

Περιγραφή: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG6301N

FDG6301N

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor/onsemi
Σε απόθεμα
RFQ
FDG329N

FDG329N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDG332PZ

FDG332PZ

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.