Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FDN302P
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5773061

FDN302P

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
3000+
$0.178
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    FDN302P
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1.FDN302P.pdf
    2.FDN302P.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SuperSOT-3
  • Σειρά
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    500mW (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Αλλα ονόματα
    FDN302P-ND
    FDN302PTR
    Q1148322
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    42 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    882pF @ 10V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    20V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    P-Channel 20V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    2.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDN302P.
FDN028N20

FDN028N20

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Περιγραφή: INTEGRATED CIRCUIT

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN327N

FDN327N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN304PZ

FDN304PZ

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN340P

FDN340P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN338P

FDN338P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN342P

FDN342P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN306P

FDN306P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN336P

FDN336P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN336P-NL

FDN336P-NL

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN357N

FDN357N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN-010

FDN-010

Περιγραφή: S/S .010" NEEDLE, 10/PK

Κατασκευαστές: Chemtronics
Σε απόθεμα
RFQ
FDN-020

FDN-020

Περιγραφή: S/S .020" NEEDLE, 10/PK

Κατασκευαστές: Chemtronics
Σε απόθεμα
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Περιγραφή: MOSFET N-CH

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN304P

FDN304P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN335N

FDN335N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN337N

FDN337N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN308P

FDN308P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.