Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FDN5618P_G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1496210

FDN5618P_G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    FDN5618P_G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SuperSOT-3
  • Σειρά
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    500mW (Ta)
  • Συσκευασία
    Bulk
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 30V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    13.8nC @ 10V
  • FET Τύπος
    P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    60V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    1.25A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDN5618P_G.
FDN537N

FDN537N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN372S

FDN372S

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN358P

FDN358P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN86501LZ

FDN86501LZ

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN357N

FDN357N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN86265P

FDN86265P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN371N

FDN371N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN86246

FDN86246

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN342P

FDN342P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN360P

FDN360P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN5630

FDN5630

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN8601

FDN8601

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Κατασκευαστές: Fairchild/ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.