Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > FDV303N_NB9U008
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3842046

FDV303N_NB9U008

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    FDV303N_NB9U008
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1.FDV303N_NB9U008.pdf
    2.FDV303N_NB9U008.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    8V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SOT-23
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    350mW (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    2.3nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    25V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    680mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το FDV303N_NB9U008.
FDV14-250Q

FDV14-250Q

Περιγραφή: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Κατασκευαστές: 3M
Σε απόθεμα
RFQ
FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV14-187Q

FDV14-187Q

Περιγραφή: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Κατασκευαστές: 3M
Σε απόθεμα
RFQ
FDV302P

FDV302P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV304P

FDV304P

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV10-250Q

FDV10-250Q

Περιγραφή: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Κατασκευαστές: 3M
Σε απόθεμα
RFQ
FDVE1040-H-3R3M=P3

FDVE1040-H-3R3M=P3

Περιγραφή: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD

Κατασκευαστές: Murata Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FDV303N

FDV303N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV18-250Q

FDV18-250Q

Περιγραφή: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Κατασκευαστές: 3M
Σε απόθεμα
RFQ
FDV301N

FDV301N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV305N

FDV305N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

Περιγραφή: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

Κατασκευαστές: Murata Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

Περιγραφή: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDV18-187Q

FDV18-187Q

Περιγραφή: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Κατασκευαστές: 3M
Σε απόθεμα
RFQ
FDV045P20L

FDV045P20L

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

Περιγραφή: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

Κατασκευαστές: Murata Electronics
Σε απόθεμα
RFQ
FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.