Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > HGTG10N120BND
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4022757HGTG10N120BND ΕικόναAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG10N120BND

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$3.81
10+
$3.419
450+
$2.658
900+
$2.385
1350+
$2.011
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    HGTG10N120BND
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    IGBT 1200V 35A 298W TO247
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    HGTG10N120BND.pdf
  • Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Test Condition
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) στους 25 ° C
    23ns/165ns
  • εναλλαγή Ενέργειας
    850µJ (on), 800µJ (off)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-247
  • Σειρά
    -
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    70ns
  • Ισχύς - Max
    298W
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-247-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Τύπος εισόδου
    Standard
  • IGBT Τύπος
    NPT
  • πύλη Χρέωση
    100nC
  • Λεπτομερής περιγραφή
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM)
    80A
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)
    35A

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το HGTG10N120BND.
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

Περιγραφή: IGBT 600V 54A 167W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Περιγραφή: IGBT 600V 70A 290W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Περιγραφή: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Περιγραφή: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

Περιγραφή: IGBT 600V 24A 104W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

Περιγραφή: IGBT 600V 54A 167W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Περιγραφή: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Περιγραφή: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG20N60A4

HGTG20N60A4

Περιγραφή: IGBT 600V 70A 290W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Περιγραφή: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Περιγραφή: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Περιγραφή: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Περιγραφή: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Περιγραφή: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Περιγραφή: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Περιγραφή: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Περιγραφή: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Περιγραφή: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Περιγραφή: IGBT 600V 27A 104W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
HGTG18N120BND

HGTG18N120BND

Περιγραφή: IGBT 1200V 54A 390W TO247

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.