Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - ενιαία > MJ11012G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
2793123MJ11012G ΕικόναAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11012G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$4.33
10+
$3.887
100+
$3.185
500+
$2.711
1000+
$2.286
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    MJ11012G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    MJ11012G.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)
    60V
  • VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic
    4V @ 300mA, 30A
  • transistor Τύπος
    NPN - Darlington
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-204 (TO-3)
  • Σειρά
    -
  • Ισχύς - Max
    200W
  • Συσκευασία
    Tray
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-204AA, TO-3
  • Αλλα ονόματα
    MJ11012G-ND
    MJ11012GOS
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    2 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Συχνότητα - Μετάβαση
    4MHz
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 20A, 5V
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)
    1mA
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)
    30A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το MJ11012G.
MJ10R7FE-R52

MJ10R7FE-R52

Περιγραφή: RES 10.7 OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ10R2FE-R52

MJ10R2FE-R52

Περιγραφή: RES 10.2 OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11016

MJ11016

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

Περιγραφή: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1053FE-R52

MJ1053FE-R52

Περιγραφή: RES 105K OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ10R0FE-R52

MJ10R0FE-R52

Περιγραφή: RES 10 OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1072FE-R52

MJ1072FE-R52

Περιγραφή: RES 10.7K OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1100FE-R52

MJ1100FE-R52

Περιγραφή: RES 110 OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1070FE-R52

MJ1070FE-R52

Περιγραφή: RES 107 OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11028G

MJ11028G

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11016G

MJ11016G

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ10R5FE-R52

MJ10R5FE-R52

Περιγραφή: RES 10.5 OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

Περιγραφή: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1071FE-R52

MJ1071FE-R52

Περιγραφή: RES 1.07K OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11021G

MJ11021G

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11015G

MJ11015G

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 120V 30A TO3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11022

MJ11022

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ1073FE-R52

MJ1073FE-R52

Περιγραφή: RES 107K OHM 1/8W 1% AXIAL

Κατασκευαστές: Ohmite
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11022G

MJ11022G

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJ11021

MJ11021

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.