Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - ενιαία > MJD112-1G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3012631MJD112-1G ΕικόναAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD112-1G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.68
75+
$0.545
150+
$0.436
525+
$0.342
1050+
$0.265
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    MJD112-1G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    MJD112-1G.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)
    100V
  • VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • transistor Τύπος
    NPN - Darlington
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    I-PAK
  • Σειρά
    -
  • Ισχύς - Max
    1.75W
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Αλλα ονόματα
    MJD112-1GOS
    MJD1121G
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    9 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Συχνότητα - Μετάβαση
    25MHz
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)
    20µA
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)
    2A
  • Αριθμός μέρους βάσης
    MJD112

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το MJD112-1G.
MJD112G

MJD112G

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117-001

MJD117-001

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117

MJD117

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD122-TP

MJD122-TP

Περιγραφή: TRANS NPN 100V 8A DPAK

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK

Κατασκευαστές: STMicroelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112-001

MJD112-001

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112-TP

MJD112-TP

Περιγραφή: TRANS NPN 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112TF

MJD112TF

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD122-1

MJD122-1

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

Κατασκευαστές: STMicroelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117TF

MJD117TF

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117T4G

MJD117T4G

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: STMicroelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117RLG

MJD117RLG

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112T4G

MJD112T4G

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112RLG

MJD112RLG

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117-1G

MJD117-1G

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD112RL

MJD112RL

Περιγραφή: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
MJD117G

MJD117G

Περιγραφή: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.