Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - RF > NE3511S02-A
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3133485NE3511S02-A ΕικόναCEL (California Eastern Laboratories)

NE3511S02-A

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    NE3511S02-A
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    HJ-FET NCH 13.5DB S02
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1.NE3511S02-A.pdf
    2.NE3511S02-A.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Test
    2V
  • Τάση - Ονομαστική
    4V
  • transistor Τύπος
    HFET
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    S02
  • Σειρά
    -
  • Ισχύς - εξόδου
    -
  • Συσκευασία
    Bulk
  • Συσκευασία / υπόθεση
    4-SMD, Flat Leads
  • Αλλα ονόματα
    NE3511S02A
  • Θόρυβος Εικόνα
    0.3dB
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Κέρδος
    13.5dB
  • Συχνότητα
    12GHz
  • Λεπτομερής περιγραφή
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
  • τρέχουσα Αξιολόγηση
    70mA
  • Τρέχουσες - Test
    10mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το NE3511S02-A.
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Περιγραφή: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3503M04-T2B-A

NE3503M04-T2B-A

Περιγραφή: FET RF 4V 12GHZ M04

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Περιγραφή: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

Περιγραφή: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Περιγραφή: HJ-FET NCH 10DB S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3508M04-EVNF23-A

NE3508M04-EVNF23-A

Περιγραφή: EVAL DEV RF NE3508M04

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Περιγραφή: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Περιγραφή: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3508M04-A

NE3508M04-A

Περιγραφή: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Περιγραφή: HJ-FET NCH 10DB S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Περιγραφή: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Περιγραφή: FET RF 4V 4GHZ M04

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

Περιγραφή: EVAL DEV RF NE3509M04

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Περιγραφή: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Περιγραφή: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

Περιγραφή: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3509M04-A

NE3509M04-A

Περιγραφή: FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Περιγραφή: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3510M04-A

NE3510M04-A

Περιγραφή: FET RF 4V 4GHZ M04

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A

Περιγραφή: FET RF 4V 12GHZ M04

Κατασκευαστές: CEL (California Eastern Laboratories)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.