Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > DMG3N60SJ3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1484652

DMG3N60SJ3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
75+
$0.62
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMG3N60SJ3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Περιέχει μόλυβδο / σύμφωνο RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMG3N60SJ3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-251
  • Σειρά
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    41W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    22 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    354pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    650V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMG3N60SJ3.
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Περιγραφή: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Περιγραφή: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Περιγραφή: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.