Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > DMG8601UFG-7
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
615018DMG8601UFG-7 ΕικόναDiodes Incorporated

DMG8601UFG-7

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
3000+
$0.223
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMG8601UFG-7
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMG8601UFG-7.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.05V @ 250µA
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    U-DFN3030-8
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Ισχύς - Max
    920mW
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-PowerUDFN
  • Αλλα ονόματα
    DMG8601UFG-7DITR
    DMG8601UFG7
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    143pF @ 10V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    8.8nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Χαρακτηριστικό
    Logic Level Gate
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    20V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    6.1A
  • Αριθμός μέρους βάσης
    DMG8601UFG

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMG8601UFG-7.
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Κατασκευαστές: Panasonic
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Κατασκευαστές: Panasonic
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Κατασκευαστές: Panasonic
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Κατασκευαστές: Panasonic
Σε απόθεμα
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Κατασκευαστές: Panasonic
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Περιγραφή: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Κατασκευαστές: Panasonic
Σε απόθεμα
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.