Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > DMN2014LHAB-7
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
450869DMN2014LHAB-7 ΕικόναDiodes Incorporated

DMN2014LHAB-7

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
3000+
$0.20
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMN2014LHAB-7
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMN2014LHAB-7.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    U-DFN2030-6 (Type B)
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Ισχύς - Max
    800mW
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    6-UFDFN Exposed Pad
  • Αλλα ονόματα
    DMN2014LHAB-7DITR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1550pF @ 10V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Χαρακτηριστικό
    Logic Level Gate
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    20V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    9A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMN2014LHAB-7.
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.