Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > DMN3005LK3-13
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
961486DMN3005LK3-13 ΕικόναDiodes Incorporated

DMN3005LK3-13

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$0.349
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMN3005LK3-13
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Περιέχει μόλυβδο / σύμφωνο RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMN3005LK3-13.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-252-3
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 20A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1.68W (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Αλλα ονόματα
    1034-DMN3005LK3-13DITR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    4342pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    46.9nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 14.5A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    14.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMN3005LK3-13.
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Περιγραφή: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Περιγραφή: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.