Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > DMN3016LPS-13
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4119231DMN3016LPS-13 ΕικόναDiodes Incorporated

DMN3016LPS-13

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$0.196
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMN3016LPS-13
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMN3016LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PowerDI5060-8
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 20A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1.18W (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-PowerTDFN
  • Αλλα ονόματα
    DMN3016LPS-13DITR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 10.8A (Ta) 1.18W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    10.8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMN3016LPS-13.
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Περιγραφή: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Περιγραφή: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Περιγραφή: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Περιγραφή: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Περιγραφή: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.