Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > DMT6009LFG-13
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
907331DMT6009LFG-13 ΕικόναDiodes Incorporated

DMT6009LFG-13

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
3000+
$0.531
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    DMT6009LFG-13
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Diodes Incorporated
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    DMT6009LFG-13.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PowerDI3333-8
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-PowerWDFN
  • Αλλα ονόματα
    DMT6009LFG-13DI
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1925pF @ 30V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    60V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 34A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το DMT6009LFG-13.
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 11A

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Περιγραφή: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Περιγραφή: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Περιγραφή: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.