Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI1070X-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6835621SI1070X-T1-GE3 ΕικόναElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1070X-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI1070X-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI1070X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.55V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SC-89-6
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    236mW (Ta)
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    SOT-563, SOT-666
  • Αλλα ονόματα
    SI1070X-T1-GE3CT
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    385pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    8.3nC @ 5V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI1070X-T1-GE3.
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V SC89

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.