1801931

SI2308BDS-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.19

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI2308BDS-T1-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI2308BDS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Αλλα ονόματα

SI2308BDS-T1-E3-ND
SI2308BDS-T1-E3TR
SI2308BDST1E3
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

33 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 30V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

6.8nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

60V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI2308BDS-T1-E3.

SI2311DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2306BDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2312-TP

Περιγραφή: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2309CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2308BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2307CDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2307BDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2308CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2305CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2305DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2307BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2311DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2306BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2310-TP

Περιγραφή: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2309CDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2307-TP

Περιγραφή: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2306-TP

Περιγραφή: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2308DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2307CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2309DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI2308BDS-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SI2311DS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-E3

SI2312-TP

SI2309CDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

SI2308CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305DS-T1-E3

SI2307BDS-T1-GE3

SI2311DS-T1-E3

SI2306BDS-T1-GE3

SI2310-TP

SI2309CDS-T1-E3

SI2307-TP

SI2306-TP

SI2308DS-T1-E3

SI2307CDS-T1-GE3

SI2309DS-T1-E3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα