Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI3499DV-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3069324SI3499DV-T1-GE3 ΕικόναElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3499DV-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
3000+
$0.467
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI3499DV-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI3499DV-T1-GE3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    750mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    6-TSOP
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1.1W (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Αλλα ονόματα
    SI3499DV-T1-GE3-ND
    SI3499DV-T1-GE3TR
    SI3499DVT1GE3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    42nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    8V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI3499DV-T1-GE3.
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3499DV-T1-E3

SI3499DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3493BDV-T1-E3

SI3493BDV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3493DV-T1-GE3

SI3493DV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

Περιγραφή: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3493BDV-T1-GE3

SI3493BDV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3484-A01-GMR

SI3484-A01-GMR

Περιγραφή: POWER MANAGEMENT IC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI3495DV-T1-GE3

SI3495DV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3484-A01-GM

SI3484-A01-GM

Περιγραφή: PSE POWER MANAGEMENT IC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI3493DV-T1-E3

SI3493DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

Περιγραφή: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.