SI4409DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI4409DY-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI4409DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

8-SO
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Αλλα ονόματα

SI4409DY-T1-GE3CT
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

332pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

12nC @ 10V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

150V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 150V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

1.3A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4409DY-T1-GE3.

SI4410DYTRPBF

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4411DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4410DY

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4403BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4412ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4411DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4404DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4409DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4403CDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4404DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4408DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4406DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4410DYPBF

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4410BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4403DDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4410BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4410DY,518

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Κατασκευαστές: NXP Semiconductors / Freescale

Σε απόθεμα

RFQ

SI4406DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4408DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4410DY

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI4409DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

SI4410DYTRPBF

SI4411DY-T1-GE3

SI4410DY

SI4403BDY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

SI4404DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-E3

SI4403CDY-T1-GE3

SI4404DY-T1-E3

SI4408DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-E3

SI4410DYPBF

SI4410BDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-E3

SI4410DY,518

SI4406DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-E3

SI4410DY

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα