Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI4462DY-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6316691

SI4462DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4462DY-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4462DY-T1-GE3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    480 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1.3W (Ta)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    200V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 200V 1.15A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    1.15A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4462DY-T1-GE3.
SI4460-C2A-GMR

SI4460-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4461-B1B-FM

SI4461-B1B-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4461-B1B-FMR

SI4461-B1B-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463-B1B-FM

SI4463-B1B-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4460-C2A-GM

SI4460-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4460-B1B-FMR

SI4460-B1B-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463-C2A-GM

SI4463-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463-915-DK

SI4463-915-DK

Περιγραφή: KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4461-868-DK

SI4461-868-DK

Περιγραφή: KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4461-C2A-GMR

SI4461-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4461-C2A-GM

SI4461-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463-B0B-FM

SI4463-B0B-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4461-B0B-FM

SI4461-B0B-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.