Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4505DY-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
896048

SI4505DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$0.644
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4505DY-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4505DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Ισχύς - Max
    1.2W
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    21 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • FET Τύπος
    N and P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    Logic Level Gate
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V, 8V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    6A, 3.8A

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4505DY-T1-GE3.
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4542DY

SI4542DY

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4532DY

SI4532DY

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
SI4539ADY-T1-E3

SI4539ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4539ADY-T1-GE3

SI4539ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.