Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI4682DY-T1-E3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5365769

SI4682DY-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4682DY-T1-E3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4682DY-T1-E3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.4 mOhm @ 16A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1595pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4682DY-T1-E3.
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4685-A10-GM

SI4685-A10-GM

Περιγραφή: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4684-A10-GM

SI4684-A10-GM

Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4684-A10-GMR

SI4684-A10-GMR

Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4683-A10-GMR

SI4683-A10-GMR

Περιγραφή: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

Περιγραφή: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4683-A10-GM

SI4683-A10-GM

Περιγραφή: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4684DY-T1-E3

SI4684DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4685-A10-GMR

SI4685-A10-GMR

Περιγραφή: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.