Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4804BDY-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3394907

SI4804BDY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4804BDY-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4804BDY-T1-GE3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Ισχύς - Max
    1.1W
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Χαρακτηριστικό
    Logic Level Gate
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    5.7A
  • Αριθμός μέρους βάσης
    SI4804

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4804BDY-T1-GE3.
SI4791-3T1A-EVB

SI4791-3T1A-EVB

Περιγραφή: EVAL BOARD SI4791

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4777-A20-GM

SI4777-A20-GM

Περιγραφή: IC RCVR AM/FM CE HD-RADIO TUNER

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4776DY-T1-GE3

SI4776DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4778DY-T1-E3

SI4778DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4778DY-T1-GE3

SI4778DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4800,518

SI4800,518

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

Κατασκευαστές: NXP Semiconductors / Freescale
Σε απόθεμα
RFQ
SI4777-A20-GMR

SI4777-A20-GMR

Περιγραφή: IC RCVR AM/FM CE HD-RADIO TUNER

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.