Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4830CDY-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3583011

SI4830CDY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$0.565
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4830CDY-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4830CDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Ισχύς - Max
    2.9W
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Αλλα ονόματα
    SI4830CDY-T1-GE3TR
    SI4830CDYT1GE3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET Τύπος
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Χαρακτηριστικό
    Logic Level Gate
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Αριθμός μέρους βάσης
    SI4830

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4830CDY-T1-GE3.
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4826-DEMO

SI4826-DEMO

Περιγραφή: BOARD DEMO SI4822-A10 SI4826-A10

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4833BDY-T1-GE3

SI4833BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4827-A10-CSR

SI4827-A10-CSR

Περιγραφή: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Περιγραφή: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Περιγραφή: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4827-A10-CS

SI4827-A10-CS

Περιγραφή: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4829DY-T1-E3

SI4829DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Περιγραφή: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4830-A20-GU

SI4830-A20-GU

Περιγραφή: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4827-DEMO

SI4827-DEMO

Περιγραφή: BOARD EVAL SI4827

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.