Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4904DY-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1160590

SI4904DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$1.118
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4904DY-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4904DY-T1-GE3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 5A, 10V
  • Ισχύς - Max
    3.25W
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Αλλα ονόματα
    SI4904DY-T1-GE3TR
    SI4904DYT1GE3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    33 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    2390pF @ 20V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • FET Τύπος
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Χαρακτηριστικό
    Standard
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    40V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Αριθμός μέρους βάσης
    SI4904

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4904DY-T1-GE3.
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.