Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI4925BDY-T1-E3

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

6481588

SI4925BDY-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

2500+

$0.558

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI4925BDY-T1-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI4925BDY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

8-SO
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.1A, 10V
Ισχύς - Max

1.1W
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Αλλα ονόματα

SI4925BDY-T1-E3TR
SI4925BDYT1E3
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

33 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

-
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

50nC @ 10V
FET Τύπος

2 P-Channel (Dual)
FET Χαρακτηριστικό

Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

30V
Λεπτομερής περιγραφή

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

5.3A
Αριθμός μέρους βάσης

SI4925

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4925BDY-T1-E3.

SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.