SI5406CDC-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.35

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI5406CDC-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI5406CDC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

1206-8 ChipFET™
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

8-SMD, Flat Lead
Αλλα ονόματα

SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
SI5406CDCT1GE3
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

32nC @ 8V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

12V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI5406CDC-T1-GE3.

SI5415EDU-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5403DC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5424DC-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5402BDC-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5401DC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5404BDC-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5397M-A-GM

Περιγραφή: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI5404BDC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5406DC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5406DC-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5411EDU-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5401DC-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5415AEDU-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5402DC-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5402BDC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5402DC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5419DU-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5414DC-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5410DU-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI5418DU-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI5406CDC-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SI5415EDU-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

SI5424DC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

SI5401DC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-E3

SI5397M-A-GM

SI5404BDC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-E3

SI5411EDU-T1-GE3

SI5401DC-T1-E3

SI5415AEDU-T1-GE3

SI5402DC-T1-E3

SI5402BDC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα