Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI7121ADN-T1-GE3

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

3585742

SI7121ADN-T1-GE3 Εικόνα

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7121ADN-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.263

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI7121ADN-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI7121ADN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

PowerPAK® 1212-8
Αλλα ονόματα

SI7121ADN-T1-GE3TR
Θερμοκρασία λειτουργίας

-50°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

50nC @ 10V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

30V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 30V 12A (Ta) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)
Αριθμός μέρους βάσης

SI7121

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI7121ADN-T1-GE3.

SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7120DN-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7119DN-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7116DN-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7117DN-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7138DP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7136DP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.